Инженер-технолог по контролю качества производства и наногетероструктурных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем (7 уровень квалификации)

Трудовые действия

1. Анализ ТЗ в части требований к параметрам исходных материалов и выполнения отдельных операций при изготовлении МИС СВЧ

2. Разработка методик, выбор оборудования входного контроля материалов, используемых в производстве МИС СВЧ: подложек, металлов, диэлектриков и др.

3. Разработка методик, выбор оборудования межоперационного контроля на тестовых структурах и элементах МИС СВЧ

4. Разработка методик, выбор оборудования выходного контроля на тестовых структурах и МИС СВЧ

5. Руководство проведением всех видов контроля

6. Формирование базы данных всех видов контроля

7. Статистическая обработка данных контроля с оформлением протоколов и заключений

Необходимые умения

1. Работать на оборудовании входного, межоперационного и выходного контроля при производстве наногетероструктурных МИС СВЧ

Необходимые знания

1. Методы контроля параметров МИС СВЧ и технологических процессов

Дополнительные сведения

1. Ответственность за контроль качества МИС СВЧ

Трудовые действия

1. Разработка методик статистической обработки данных по уровню отклонений параметров и брака на пластинах наногетероструктурных МИС СВЧ

2. Анализ причин отклонений, отказов и связывание их с исходными параметрами материалов гетероструктур, технологических операций, топологии

3. Составление программы дополнительных исследований и измерений

4. Подготовка рекомендации по устранению причин отклонений параметров и брака МИС СВЧ

5. Разработка ТЗ для корректировки технологических операций и других мероприятий на основе анализа причин отклонений параметров и отказов

Необходимые умения

1. Разрабатывать и владеть методиками статистической обработки данных

2. Владеть методиками межоперационного контроля

3. Анализировать результаты экспериментов

4. Разрабатывать ТЗ

5. Владеть методологией СМК

Необходимые знания

1. Методы планирования эксперимента

2. Методы и методики статистического анализа

3. Теория допусков и теория чувствительности

Дополнительные сведения

1. Ответственность за процент выхода годных МИС

2. Деятельность, направленная на решение задач повышения эффективности организации

Трудовые действия

1. Выбор методов и технических средств для тестирования эпитаксиальных слоев наногетероструктур

2. Измерение основных параметров в процессе эпитаксии

3. Измерение параметров выращенных структур при завершении процесса эпитаксии

4. Формирование базы данных результатов тестирования и измерения

Необходимые умения

1. Работать с приборами и установками измерения параметров наногетероструктур

Необходимые знания

1. Методы измерения и тестирования параметров наногетероструктур

2. Основы материаловедения полупроводников и гетероструктур

Дополнительные сведения

1. Ответственность за качество исходных материалов для МИС СВЧ

Трудовые действия

1. Формирование базы данных параметров установки во время реализации процесса роста

2. Анализ путем статистической обработки точности выполнения операций и результата роста

3. Анализ данных статистической обработки об отклонениях в реализации роста и выработка корректирующих действий в следующей загрузке

4. Оформление сдаточных документов с сертификатом наногетероструктур для заказчика

Необходимые умения

1. Проводить статистический анализ

2. Оформлять протоколы и сертификаты (паспорта) продукции

Необходимые знания

1. Методы статистической обработки данных

2. Теория и практика управления технологическими процессами

Дополнительные сведения

1. Ответственность за качество исходных материалов для МИС СВЧ