Оператор прецизионной фотолитографии изделий микроэлектроники 4-го разряда (4 уровень квалификации)

Трудовые действия

1 . Проверка готовности оборудования к проведению процесса нанесения слоя фоторезиста на поверхность пластин в соответствии с требованиями нормативно-технической документации производства изделий микроэлектроники

2 . Подготовка поверхности пластин, необходимых для изготовления изделий микроэлектроники, к процессу нанесения слоя фоторезиста

3 . Проведение процесса нанесения слоя фоторезиста на поверхность пластин, необходимых для изготовления изделий микроэлектроники, проведение сушки нанесенного слоя фоторезиста

4 . Проведение визуального контроля качества сформированного слоя фоторезиста на поверхности пластин, необходимых для изготовления изделий микроэлектроники

5 . Заполнение сопроводительных листов и рабочих журналов при проведении технологического процесса нанесения слоя фоторезиста на поверхность пластин

6 . Принятие решения о дальнейшей обработке пластин в соответствии с требованиями технологической документации по изготовлению изделий микроэлектроники

7 . Взаимодействие с сотрудниками отдела сопровождения технологических процессов изготовления изделий микроэлектроники и отдела по обслуживанию технологического оборудования для получения необходимой информации, касающейся обработки рабочих пластин

Необходимые умения

1 . Определять, выставлять и регулировать на оборудовании параметры технологического процесса нанесения слоя фоторезиста в соответствии с требованиями технологической документации по изготовлению изделий микроэлектроники

2 . Оценивать состояние поверхности пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники, перед началом технологического процесса

3 . Работать с вакуумными пинцетами

4 . Проводить измерение толщины слоя фоторезиста (фоторезистивной маски) на поверхности пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники

5 . Проводить входной контроль качества применяемых в процессе фотолитографии химических материалов в соответствии с технологической документацией по изготовлению изделий микроэлектроники

6 . Оформлять записи по качеству пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники

7 . Оказывать первую помощь пострадавшему на производстве

Необходимые знания

1 . Требования нормативно-технической и технологической документации, требования технического задания на изготовление изделий микроэлектроники с применением процессов фотолитографии

2 . Технологические карты проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники

3 . Межоперационное время хранения пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники

4 . Методы и режимы нанесения слоя фоторезиста на поверхность пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники, и режимы нанесения вспомогательных слоев, применяемых при нанесении слоя фоторезиста на поверхность пластин

5 . Методы и режимы сушки фоторезистивного слоя на поверхности пластин, необходимых для производства изделий микроэлектроники

6 . Виды и свойства химических материалов, используемых в процессе фотолитографии изделий микроэлектроники

7 . Сроки годности и условия хранения используемых в процессе фотолитографии материалов, необходимых при изготовлении изделий микроэлектроники

8 . Методы оценки качества слоя фоторезиста на поверхности пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники

9 . Требования охраны труда при работе на оборудовании нанесения слоя фоторезиста при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники

10 . Физико-химические основы процесса фотолитографии

11 . Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях

12 . Основы системы менеджмента качества

13 . Порядок оказания первой помощи пострадавшему на производстве

Дополнительные сведения

1 . -

Трудовые действия

1 . Проверка готовности оборудования к проведению процесса совмещения и экспонирования фоторезистивной маски согласно регламенту изготовления изделий микроэлектроники

2 . Выбор фотошаблона для проведения процесса экспонирования при изготовлении изделий микроэлектроники в соответствии с конструкторской документацией на изделие

3 . Выбор режимов экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники для обеспечения параметров фоторезистивной маски в соответствии с требованиями контрольной карты процесса фотолитографии (доза излучения, фокусное расстояние, величина смещения)

4 . Проведение визуального контроля качества фотошаблона и отсъема на повторяющиеся дефекты при проведении процессов совмещения и экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники

5 . Принятие решения о дальнейшей обработке рабочих пластин в соответствии с требованиями технологической документации на изготовление изделий микроэлектроники

6 . Заполнение сопроводительных листов и рабочих журналов при проведении операции совмещения и экспонирования фоторезистивной маски

7 . Взаимодействие с сотрудниками отдела сопровождения технологических процессов изготовления изделий микроэлектроники и отдела по обслуживанию технологического оборудования для получения необходимой информации, касающейся обработки рабочих партий пластин

Необходимые умения

1 . Определять тип фотошаблона для процесса экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники

2 . Проводить контроль точности совмещения слоев формируемой структуры на пластине при изготовлении изделий микроэлектроники

3 . Проводить контроль повторяющихся дефектов фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники

4 . Определять режимы процесса экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники

5 . Осуществлять загрузку фотошаблонов в фотолитографическое оборудование при проведении процессов совмещения и экспонирования пластин при изготовлении изделий микроэлектроники, осуществлять выгрузку фотошаблонов по окончании процесса экспонирования

6 . Определять и классифицировать метки совмещения слоев формируемой структуры на пластине при изготовлении изделий микроэлектроники

7 . Работать с вакуумными пинцетами

8 . Работать на метрологическом оборудовании для проверки точности совмещения фотолитографических слоев на пластинах при изготовлении изделий микроэлектроники

9 . Оказывать первую помощь пострадавшему на производстве

Необходимые знания

1 . Назначение и типы фотошаблонов для проведения процессов фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники

2 . Методы оценки качества фотошаблона, применяемого в процессе фотолитографии для формирования топологического слоя на поверхности пластин при изготовлении изделий микроэлектроники

3 . Правила хранения и перемещения фотошаблона, необходимого для изготовления изделий микроэлектроники с применением фотолитографии

4 . Назначение защитной пленки (пелликла) и требования к ней

5 . Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях

6 . Виды дефектов фоторезистивной маски, возникающих при выполнении процесса совмещения и экспонирования

7 . Параметры процессов экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники

8 . Межоперационное время хранения пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники

9 . Требования охраны труда при работе на участке фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники

10 . Нормативно-техническая и технологическая документация проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники

11 . Физико-химические основы процесса фотолитографии с проектными нормами выше 0,6 мкм

12 . Свойства химических материалов, используемых для проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники

13 . Основы системы менеджмента качества

14 . Порядок оказания первой помощи пострадавшему на производстве

Дополнительные сведения

1 . -

Трудовые действия

1 . Проверка готовности оборудования к проведению процесса проявления фоторезистивной маски на поверхности пластин согласно регламенту изготовления изделий микроэлектроники

2 . Выбор режима проявления фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники

3 . Проведение процесса проявления фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники

4 . Проведение визуального контроля качества фоторезистивной маки на поверхности пластин согласно требованиям технологической карты изготовления изделий микроэлектроники

5 . Заполнение сопроводительных листов и рабочих журналов при проведении процесса проявления слоя фоторезиста

6 . Взаимодействие с сотрудниками отдела технологического сопровождения процессов изготовления изделий микроэлектроники и отдела по обслуживанию технологического оборудования для получения необходимой информации, касающейся обработки рабочих партий пластин

Необходимые умения

1 . Определять, выставлять и регулировать параметры технологического процесса проявления слоя фоторезиста на оборудовании для проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники

2 . Работать с вакуумными пинцетами

3 . Оценивать качество поверхности пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники, до и после проведения процесса проявления в соответствии с требованиями технологической документации

4 . Проводить контроль качества проявления слоя фоторезиста на поверхности пластины

5 . Оказывать первую помощь пострадавшему на производстве

Необходимые знания

1 . Межоперационное время хранения пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники

2 . Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях

3 . Физико-химические основы процесса фотолитографии

4 . Свойства химических материалов, используемых для проведения процесса фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники

5 . Режимы проявления слоя фоторезиста на поверхности пластин

6 . Виды и свойства проявителей, используемых при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники

7 . Сроки годности и условия хранения проявителей, используемых при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники

8 . Методы оценки качества проявления слоя фоторезиста на поверхности пластин, необходимых для изготовления изделий микроэлектроники

9 . Нормативно-техническая и технологическая документация, используемая при проведении процессов фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники

10 . Требования охраны труда при работе на оборудовании, используемом для проведения процессов проявления фоторезиста на поверхности пластин, необходимых для изготовления изделий микроэлектроники

11 . Требования технологической и контрольной карты на процесс фотолитографии и порядок действий при выявлении отклонений параметров фоторезистивной маски

12 . Основы системы менеджмента качества

13 . Порядок оказания первой помощи пострадавшему на производстве

Дополнительные сведения

1 . -

Трудовые действия

1 . Проведение измерений параметров фоторезистивной маски с использованием микроскопа и контрольно-измерительных средств, предусмотренных технологической документацией по изготовлению изделий микроэлектроники

2 . Внесение корректировок в программу обработки изделий микроэлектроники по результатам измерений параметров фоторезистивной маски

3 . Определение продукции, не соответствующей требованиям контрольной карты на процесс фотолитографии изделий микроэлектроники

4 . Подбор и регулировка режимов процессов фотолитографии для получения необходимых параметров фоторезистивной маски в соответствии с требованиями технологической документации по изготовлению изделий микроэлектроники

5 . Оформление записей по результатам проведения процессов формирования фоторезистивной маски изделий микроэлектроники (заполнение сопроводительных листов и рабочих журналов)

6 . Взаимодействие с сотрудниками отдела сопровождения технологических процессов изготовления изделий микроэлектроники и отдела по обслуживанию технологического оборудования для получения необходимой информации, касающейся обработки рабочих партий пластин

Необходимые умения

1 . Проводить замеры толщины слоя фоторезиста на поверхности пластин, подготовленных для проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники

2 . Проводить замеры линейных размеров контролируемых элементов и величины рассовмещения слоев структуры на тестовых элементах топологического слоя

3 . Работать с микроскопом и контрольно-измерительными средствами при проведении измерений параметров фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники

4 . Анализировать результаты измерений фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники

5 . Оценивать качество процесса нанесения, проявления и экспонирования слоя фоторезиста при изготовлении изделий микроэлектроники

6 . Определять оптимальные значения параметров процессов фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники

7 . Корректировать параметры экспонирования и совмещения на основании полученных данных при измерении контрольных пластин при изготовлении изделий микроэлектроники

8 . Идентифицировать обрабатываемую продукцию для изготовления изделий микроэлектроники (подпись продукции, перемещение продукции на место хранения в соответствии с идентификацией)

9 . Оформлять результаты измерений параметров технологических процессов фотолитографии в соответствии с требованиями нормативно-технической и технологической документации изготовления изделий микроэлектроники

10 . Оказывать первую помощь пострадавшему на производстве

Необходимые знания

1 . Нормы контроля параметров технологических процессов фотолитографии изделий микроэлектроники (величина контролируемого линейного размера, точность совмещения слоев структуры, доза облучения, время проявления, толщина слоя фоторезиста, уровень дефектности)

2 . Нормативно-техническая и технологическая документация по работе на автоматизированном оборудовании и проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники

3 . Требования технологической документации к контролируемым параметрам фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники

4 . Параметры технологических процессов формирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники

5 . Параметры контроля фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники

6 . Правила работы на автоматизированном технологическом оборудовании процессов фотолитографии изделий микроэлектроники

7 . Правила работы с оптическим и контрольно-измерительным оборудованием при изготовлении изделий микроэлектроники

8 . Межоперационное время хранения обрабатываемой продукции для изготовления изделий микроэлектроники

9 . Свойства химических материалов, используемых для проведения процесса фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники

10 . Последовательность технологических операций при изготовлении изделий микроэлектроники с применением автоматизированных процессов прецизионной фотолитографии

11 . Режимы выполнения технологических процессов прецизионной фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники на автоматизированном оборудовании

12 . Виды дефектов при формировании фоторезистивной маски на поверхности пластин при изготовлении изделий микроэлектроники

13 . Режимы работы контрольно-измерительного оборудования при проведении процессов контроля параметров фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники

14 . Требования нормативно-технической и технологической документации процессов фотолитографии изделий микроэлектроники, в том числе требования технологических и контрольных карт, требования технического задания на изделие

15 . Порядок действий при обнаружении отклонений параметров фоторезистивной маски от требований контрольной карты процесса фотолитографии

16 . Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях

17 . Физико-химические основы процесса фотолитографии

18 . Свойства поверхности пластины, используемой при изготовлении изделий микроэлектроники

19 . Виды дефектов, возникающих при формировании фоторезистивной маски на пластинах при изготовлении изделий микроэлектроники

20 . Основы работы на персональном компьютере

21 . Английский язык (базовый курс)

22 . Основы системы менеджмента качества

23 . Порядок оказания первой помощи пострадавшему на производстве

Дополнительные сведения

1 . -

Трудовые действия

1 . Выявление видов несоответствия обрабатываемой продукции требованиям технологической карты при выполнении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники (дефектность, отклонения линейного размера, рассовмещение слоев, недопроявление)

2 . Регистрация выявленного несоответствия обрабатываемой продукции изделий микроэлектроники в рабочих журналах

3 . Определение причин несоответствия обрабатываемой продукции изделий микроэлектроники требованиям технологической карты

4 . Формирование алгоритма регулировки параметров процессов фотолитографии изделий микроэлектроники для устранения несоответствий обрабатываемой продукции

5 . Регулировка параметров процессов фотолитографии изделий микроэлектроники в диапазонах, допустимых технологической документацией, для корректировки при выявлении технологических несоответствий обрабатываемой продукции

6 . Оповещение начальника смены и инженера-технолога о выявленных несоответствиях обрабатываемой продукции изделий микроэлектроники для проведения регулирующих мероприятий и устранения причин несоответствий

Необходимые умения

1 . Идентифицировать обрабатываемую продукцию как несоответствующую микроэлектронную продукцию

2 . Работать с микроскопом и контрольно-измерительными средствами при проведении измерений параметров фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники

3 . Осуществлять корректирующие действия, разработанные технологической службой, при отклонениях параметров процессов фотолитографии изделий микроэлектроники

4 . Устанавливать причинно-следственные связи возникновения микроэлектронной продукции, не соответствующей требованиям технологической документации

5 . Вести записи по качеству изготовленной микроэлектронной продукции (заполнение рабочих журналов, сопроводительных листов, сигнальных талонов)

6 . Осуществлять сравнение полученных результатов замеров параметров фоторезистивной маски с требованиями нормативной технологической документации

7 . Оказывать первую помощь пострадавшему на производстве

Необходимые знания

1 . Требования нормативно-технической и технологической документации к контролируемым параметрам микроэлектронной продукции

2 . Виды дефектов при формировании фоторезистивной маски изделий микроэлектроники

3 . Критерии несоответствия микроэлектронной продукции требованиям технологической документации

4 . Виды, причины и методы устранения несоответствий процессов фотолитографии изделий микроэлектроники

5 . Порядок действий при выявлении несоответствующей микроэлектронной продукции

6 . Последовательность технологических операций при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники

7 . Причины и порядок проведения внеплановой аттестации оборудования для проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники

8 . Правила работы с оптическим и контрольно-измерительным оборудованием при оценке качества формирования фоторезистивной маски изделий микроэлектроники, изготовленных с применением процессов прецизионной фотолитографии на автоматизированном оборудовании

9 . Физико-химические основы процесса фотолитографии

10 . Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях

11 . Основы работы на персональном компьютере

12 . Английский язык (базовый курс)

13 . Основы системы менеджмента качества

14 . Порядок оказания первой помощи пострадавшему на производстве

Дополнительные сведения

1 . -