Инженер по проектированию фотошаблонов субмикронного и наноразмерного уровней (6 уровень квалификации)

Трудовые действия

1. Анализ первичных данных и согласование технического задания (описание слоев фотошаблона, перечень необходимых операций со слоями, описание необходимых технологических элементов)

2. Проведение контроля сформированного кадра изображения

3. Проведение верификации исходных данных, заложенных в техническом задании, на корректность предоставленных данных согласно форме, утвержденной в организации (технические требования - приложение к договору)

4. Формирование отчета (записи в журнале) о начале работы над проектом (заказом)

Необходимые умения

1. Использовать техническую документацию на проектирование и разработку фотошаблонов

2. Владеть методами проектирования фотошаблонов и подготовки управляющей информации для их изготовления согласно маршрутной карте для заданного технологического уровня

3. Владеть технологией разработки программных средств

4. Определять элементы топологии

5. Осуществлять входной контроль модуля на соответствие техническому заданию (габариты, тональность, проектные размеры, ориентация, зеркальность, масштаб)

6. Проверять топологию на наличие линий и фигур, не предусмотренных техническим заданием

Необходимые знания

1. Основы технологии производства фотошаблонов и интегральных схем

2. Технический английский язык

3. Целевые системы автоматизированного проектирования фотошаблонов, средства разработки программ

4. Типовые маршруты проектирования фотошаблонов

Трудовые действия

1. Проведение верификации полученной топологии кристалла сверхбольших интегральных схем

2. Проведение анализа и выбор способов коррекции оптических искажений при проектировании фотошаблонов

3. Выбор совокупности параметров настройки математической модели литографического процесса для проведения коррекции оптических эффектов близости

Необходимые умения

1. Получать адекватную модель литографического процесса, для которого подготавливается данный комплект фотошаблонов

2. Осуществлять калибровку модели литографического процесса

3. Проводить коррекцию оптической близости, основанную на математических моделях (распределении интенсивности излучения при экспонировании после прохождения через фотошаблон), наборе правил проектирования (топологический слой по заранее заданному набору правил проектирования проверяется на наличие мест, в которых необходимо провести коррекцию) с учетом вариации процесса

Необходимые знания

1. Раздел общей физики: оптика (дифракция, интерференция), основы фурье-оптики

2. Высшая математика

3. Процессы фотолитографии

4. Методики верификации фотошаблонов

5. Использование технологии внеосевого освещения для улучшения воспроизведения плотноупакованных топологических структур

6. Технологии единого интерфейса для управления объектами автоматизации и технологическими процессами специализированных программных платформ

Трудовые действия

1. Проведение верификации параметров исходной топологии (тональность, критичные размеры, габаритные размеры поля фотошаблона, координаты центра, наличие маркировки, метки совмещения, метки для проекционной литографии) на соответствие техническому заданию и правилам проектирования

2. Проведение обработки топологии фотошаблона в соответствии с требованиями технического задания (операции позиционирования слоя, изменение тональности слоя, коррекции размеров для каждого слоя, коррекции эффектов оптической близости, коррекции фазового сдвига для слоя с применением фазосдвигающих масок)

Необходимые умения

1. Проверять ключевые параметры топологии (тональность, критичные элементы, габаритные размеры, метки совмещения, метки проекционной литографии) на соответствие техническому заданию и правилам проектирования

2. Проводить конвертацию топологических данных во внутренний формат оборудования

3. Владеть методологией коррекции оптических эффектов близости, контроля линейных размеров топологических элементов

4. Проводить обработку топологии фотошаблонов в соответствии с требованиями технического задания

5. Создавать служебные элементы фотошаблонов: метки совмещения, мультипликации, штрих-код, текстовые метки

6. Проводить полный цикл автоматизированного проектирования фотошаблона

Необходимые знания

1. Технический английский язык

2. Оптика - дифракция, интерференция

3. Процессы электронно-лучевой и оптической литографии

4. Целевые системы автоматизированного проектирования

5. Маршрут разработки и проектирования фотошаблонов

6. Методики верификации фотошаблонов

7. Возможности скриптовых языков

8. Базовые маршруты разработки и верификации сверхбольших интегральных схем, в том числе систем на кристалле

Трудовые действия

1. Формирование служебных элементов фотошаблона, необходимых для производственного и контрольно-измерительного оборудования

2. Формирование виртуального прототипа фотошаблона (рамки, служебной информации) с определением координат всех служебных элементов

3. Размещение топологии кристалла и тестовых структур в рабочем поле фотошаблона согласно техническому заданию и правилам проектирования

4. Объединение топологии кристалла и служебной информации в один файл, осуществляющий сборку фотошаблона

5. Согласование полученной управляющей информации с заказчиком

6. Проверка выходных данных на соответствие техническому заданию

7. Проведение верификации проекта на соответствие правилам изготовления

Необходимые умения

1. Владеть специализированными программными платформами проектирования фотошаблонов

2. Программировать на языках высокого уровня

3. Проводить сборку готового фотошаблона: подключать баркод, проверять метки совмещения, метки контроля, тестовые структуры, топологию

4. Осуществлять конвертацию управляющей информации в формат литографического оборудования

5. Проводить анализ проектных решений топологии фотошаблонов применительно к технологии их изготовления и используемому технологическому оборудованию

6. Проверять ключевые параметры конечной топологии на соответствие техническому заданию и правилам изготовления

Необходимые знания

1. Технический английский язык

2. Целевые системы автоматизированного проектирования, системы разработки программных средств

3. Методики верификации фотошаблона

4. Языки программирования высокого уровня, используемые в целевых системах автоматизированного проектирования

5. Методики верификации фотошаблонов для заданного технологического уровня

6. Технологический маршрут изготовления фотошаблонов

7. Особенности литографического оборудования, применяемого для изготовления фотошаблонов

Трудовые действия

1. Проведение операции разбиения элементов топологии кристалла на геометрические примитивы, соответствующие форматам технологических установок

2. Проверка выходных данных на соответствие техническому заданию

3. Проведение верификации проекта на соответствие правилам изготовления

4. Конвертация данных в формат используемого лазерного генератора изображений либо в формат установки, используемой сторонним изготовителем фотошаблонов

Необходимые умения

1. Проводить анализ топологии фотошаблонов применительно к технологии их изготовления и используемому технологическому оборудованию

2. Проверять ключевые параметры конечной топологии на соответствие техническому заданию и правилам изготовления с учетом перекрытия слоев, расстояния между элементами, ширины элементов

3. Осуществлять перевод данных в управляющую информацию для лазерного или электронно-лучевого генератора изображений, установок контроля критических размеров, аттестации на дефектность

Необходимые знания

1. Целевые системы автоматизированного проектирования

2. Базовые методы защиты информации

3. Процессы литографии

4. Правила разработки документации в соответствии со стандартом организации

5. Методики верификации фотошаблона на соответствие правилам изготовления