Инженер-технолог по реализации и сопровождению производства наногетероструктурных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем (7 уровень квалификации)
7
Трудовые действия
1. Тестовый запуск, сопровождение и контроль выполнения технологических операций в ходе изготовления экспериментальной партии МИС СВЧ
2. Анализ данных измерения параметров тестовых структур МИС СВЧ, внесение предложений по коррекции режимов в технологическую документацию
3. Сопровождение установившегося технологического процесса производства МИС СВЧ: формирование баз данных измерения и контроля, составление протоколов и актов контроля параметров МИС
4. Анализ данных измерений и контроля, предложения об изменении параметров ТП
Необходимые умения
1. Проводить анализ технологической документации
2. Работать на части технологического оборудования
Необходимые знания
1. Стандарты на ТД: нормативная документация отрасли, организации на технологические процессы
2. Основы технологии МИС СВЧ
3. Система менеджмента качества (СМК)
Дополнительные сведения
1. Профессиональная деятельность, направленная на согласование работ группы инженеров-конструкторов и инженеров-технологов
Трудовые действия
1. Анализ КД и ТЗ в части требований к реализации ТП на основе электронной литографии
2. Техническая проверка исходных файлов топологии МИС СВЧ для проведения электронной литографии
3. Руководство подготовкой подложек для проведения операций экспонирования фоторезистов на установке электронной литографии
4. Подготовка установки электронной литографии к проведению операций прорисовки топологии
5. Руководство реализацией операций резист-процессинга после экспонирования подложек
6. Измерение параметров тестовых структур и элементов МИС СВЧ на подложке, оформление протокола и внесение данных в базу данных участка электронной литографии
7. Передача подложки на следующий участок в соответствии с маршрутной картой
8. Регламентные работы по тестированию установки электронной литографии
Необходимые умения
1. Работать с нормативной документацией
2. Работать в САПР подготовки ТД для производства МИС СВЧ
Необходимые знания
1. Методы электронной литографии
2. Технология производства МИС СВЧ на основе электронной литографии
3. Стандарты для подготовки технологической документации
4. САПР подготовки файлов топологии для электронной литографии
Дополнительные сведения
1. Ответственность за качество ТП, основанного на электронной литографии
Трудовые действия
1. Анализ КД и ТЗ в части требований к реализации ТП на основе проекционной литографии
2. Техническая проверка исходных файлов топологии МИС СВЧ для изготовления фотошаблонов
3. Руководство изготовлением комплекта фотошаблонов в соответствии с ТЗ
4. Руководство подготовкой подложек для проведения последовательности операций ТП, основанного на проекционной литографии (фотолитографии)
5. Подготовка установки проекционной литографии к проведению операций
6. Руководство реализацией последовательности операций изготовления МИС СВЧ после экспонирования подложек
7. Измерение параметров тестовых структур и элементов МИС СВЧ на подложке, оформление протокола и внесение данных в базу данных участка проекционной литографии
8. Передача подложки на следующий участок в соответствии с маршрутной картой
9. Регламентные работы по тестированию установок проекционной литографии
Необходимые умения
1. Работать с нормативной документацией
2. Работать в САПР подготовки ТД для производства МИС СВЧ
Необходимые знания
1. Технология производства МИС СВЧ на основе проекционной литографии
2. Стандарты для подготовки технологической документации
3. САПР подготовки файлов топологии для проекционной литографии
Дополнительные сведения
1. Ответственность за качество ТП проекционной литографии
Трудовые действия
1. Анализ ТЗ на разработку МИС СВЧ в части требований к материалам и типу наногетероструктуры
2. Обоснование выбора машины для проведения эпитаксии
3. Расчет технологических режимов выращивания эпитаксиальных слоев
4. Моделирование роста гетероструктур с применением TCAD
5. Разработка технологической документации на изготовление гетероструктур
Необходимые умения
1. Работать на машинах молекулярно-лучевой эпитаксии
Необходимые знания
1. Технический английский язык
2. Основы материаловедения полупроводников и гетероструктур
3. Методы эпитаксии для производства гетероструктур, применяемых в наноэлектронике СВЧ
4. Работа с установками сверхвысокого вакуума
Дополнительные сведения
1. Ответственность за качество исходных материалов для МИС СВЧ
Трудовые действия
1. Выполнение регламента подготовки машины к проведению ТП выращивания наногетероструктуры
2. Подготовка материалов для проведения эпитаксии
3. Проведение роста наногетероструктур в соответствии с ТП
Необходимые умения
1. Работать на машинах молекулярно-лучевой эпитаксии
Необходимые знания
1. Технический английский язык
2. Основы материаловедения полупроводников и гетероструктур
3. Технология молекулярно-лучевой эпитаксии
4. Работа с установками сверхвысокого вакуума
Дополнительные сведения
1. Ответственность за качество исходных материалов для МИС СВЧ
Трудовые действия
1. Анализ технического задания на ОТР, определение базовых технологических процессов для реализации целей ОТР
2. Обоснование применения материалов, используемых при производстве МИС СВЧ
3. Разработка перечня оборудования для реализации технологического процесса производства МИС
4. Разработка технико-экономического обоснования выбранных решений
5. Защита на НТС обоснованных технологических решений реализации ОТР
Необходимые умения
1. Оформлять технические решения в виде пояснительной записки, презентации, согласовывать их в соответствии с установленным регламентом и представлять на НТС
Необходимые знания
1. Системный анализ
2. Нормативная документация и описания базовых технологических процессов
3. Основы материаловедения применительно к электронике СВЧ
4. Методики проведения технико-экономических исследований при производстве высокотехнологичной продукции
Дополнительные сведения
1. Профессиональная деятельность, направленная на развитие инновационных разработок
Производство интегральных схем, микросборок и микромодулей
Инженер-технолог в области производства наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем
Приказ Министерства труда и социальной защиты РФ от «03» февраля 2014 г. №69н
−
−
1. −
1. 1. Документ, подтверждающий наличие высшего образования не ниже уровня специалитета и магистратуры. по одному из направлений: «Электроника и микроэлектроника»; «Электроника и наноэлектроника»; «Нанотехнологии и микросистемная техника»; «Физическая электроника»
ИЛИ
1. 1. Документ, подтверждающий наличие высшего образования не ниже специалитета и магистратуры
2. 2. Документ о профессиональной переподготовке, подтверждающий освоение искомой квалификации
5 лет
Номер | Адрес проведения экзамена |
---|---|
77.022.23.02 |
г Краснодар, ул Ставропольская, д 149 |
77.022.36.01 |
г Воронеж, Университетская пл, д 1 |
77.022.77.01 |
г Зеленоград, проезд Западный 1-й, д 12 стр 1 |
Text