Инженер-технолог по реализации и сопровождению производства наногетероструктурных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем (7 уровень квалификации)
7
Трудовые действия
1 . Тестовый запуск, сопровождение и контроль выполнения технологических операций в ходе изготовления экспериментальной партии МИС СВЧ
2 . Анализ данных измерения параметров тестовых структур МИС СВЧ, внесение предложений по коррекции режимов в технологическую документацию
3 . Сопровождение установившегося технологического процесса производства МИС СВЧ: формирование баз данных измерения и контроля, составление протоколов и актов контроля параметров МИС
4 . Анализ данных измерений и контроля, предложения об изменении параметров ТП
Необходимые умения
1 . Проводить анализ технологической документации
2 . Работать на части технологического оборудования
Необходимые знания
1 . Стандарты на ТД: нормативная документация отрасли, организации на технологические процессы
2 . Основы технологии МИС СВЧ
3 . Система менеджмента качества (СМК)
Дополнительные сведения
1 . Профессиональная деятельность, направленная на согласование работ группы инженеров-конструкторов и инженеров-технологов
Трудовые действия
1 . Анализ КД и ТЗ в части требований к реализации ТП на основе электронной литографии
2 . Техническая проверка исходных файлов топологии МИС СВЧ для проведения электронной литографии
3 . Руководство подготовкой подложек для проведения операций экспонирования фоторезистов на установке электронной литографии
4 . Подготовка установки электронной литографии к проведению операций прорисовки топологии
5 . Руководство реализацией операций резист-процессинга после экспонирования подложек
6 . Измерение параметров тестовых структур и элементов МИС СВЧ на подложке, оформление протокола и внесение данных в базу данных участка электронной литографии
7 . Передача подложки на следующий участок в соответствии с маршрутной картой
8 . Регламентные работы по тестированию установки электронной литографии
Необходимые умения
1 . Работать с нормативной документацией
2 . Работать в САПР подготовки ТД для производства МИС СВЧ
Необходимые знания
1 . Методы электронной литографии
2 . Технология производства МИС СВЧ на основе электронной литографии
3 . Стандарты для подготовки технологической документации
4 . САПР подготовки файлов топологии для электронной литографии
Дополнительные сведения
1 . Ответственность за качество ТП, основанного на электронной литографии
Трудовые действия
1 . Анализ КД и ТЗ в части требований к реализации ТП на основе проекционной литографии
2 . Техническая проверка исходных файлов топологии МИС СВЧ для изготовления фотошаблонов
3 . Руководство изготовлением комплекта фотошаблонов в соответствии с ТЗ
4 . Руководство подготовкой подложек для проведения последовательности операций ТП, основанного на проекционной литографии (фотолитографии)
5 . Подготовка установки проекционной литографии к проведению операций
6 . Руководство реализацией последовательности операций изготовления МИС СВЧ после экспонирования подложек
7 . Измерение параметров тестовых структур и элементов МИС СВЧ на подложке, оформление протокола и внесение данных в базу данных участка проекционной литографии
8 . Передача подложки на следующий участок в соответствии с маршрутной картой
9 . Регламентные работы по тестированию установок проекционной литографии
Необходимые умения
1 . Работать с нормативной документацией
2 . Работать в САПР подготовки ТД для производства МИС СВЧ
Необходимые знания
1 . Технология производства МИС СВЧ на основе проекционной литографии
2 . Стандарты для подготовки технологической документации
3 . САПР подготовки файлов топологии для проекционной литографии
Дополнительные сведения
1 . Ответственность за качество ТП проекционной литографии
Трудовые действия
1 . Анализ ТЗ на разработку МИС СВЧ в части требований к материалам и типу наногетероструктуры
2 . Обоснование выбора машины для проведения эпитаксии
3 . Расчет технологических режимов выращивания эпитаксиальных слоев
4 . Моделирование роста гетероструктур с применением TCAD
5 . Разработка технологической документации на изготовление гетероструктур
Необходимые умения
1 . Работать на машинах молекулярно-лучевой эпитаксии
Необходимые знания
1 . Технический английский язык
2 . Основы материаловедения полупроводников и гетероструктур
3 . Методы эпитаксии для производства гетероструктур, применяемых в наноэлектронике СВЧ
4 . Работа с установками сверхвысокого вакуума
Дополнительные сведения
1 . Ответственность за качество исходных материалов для МИС СВЧ
Трудовые действия
1 . Выполнение регламента подготовки машины к проведению ТП выращивания наногетероструктуры
2 . Подготовка материалов для проведения эпитаксии
3 . Проведение роста наногетероструктур в соответствии с ТП
Необходимые умения
1 . Работать на машинах молекулярно-лучевой эпитаксии
Необходимые знания
1 . Технический английский язык
2 . Основы материаловедения полупроводников и гетероструктур
3 . Технология молекулярно-лучевой эпитаксии
4 . Работа с установками сверхвысокого вакуума
Дополнительные сведения
1 . Ответственность за качество исходных материалов для МИС СВЧ
Трудовые действия
1 . Анализ технического задания на ОТР, определение базовых технологических процессов для реализации целей ОТР
2 . Обоснование применения материалов, используемых при производстве МИС СВЧ
3 . Разработка перечня оборудования для реализации технологического процесса производства МИС
4 . Разработка технико-экономического обоснования выбранных решений
5 . Защита на НТС обоснованных технологических решений реализации ОТР
Необходимые умения
1 . Оформлять технические решения в виде пояснительной записки, презентации, согласовывать их в соответствии с установленным регламентом и представлять на НТС
Необходимые знания
1 . Системный анализ
2 . Нормативная документация и описания базовых технологических процессов
3 . Основы материаловедения применительно к электронике СВЧ
4 . Методики проведения технико-экономических исследований при производстве высокотехнологичной продукции
Дополнительные сведения
1 . Профессиональная деятельность, направленная на развитие инновационных разработок
Производство интегральных схем, микросборок и микромодулей
Инженер-технолог в области производства наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем
Приказ Министерства труда и социальной защиты РФ от «03» февраля 2014 г. №69н
−
−
1. −
1. 1. Документ, подтверждающий наличие высшего образования не ниже уровня специалитета и магистратуры. по одному из направлений: «Электроника и микроэлектроника»; «Электроника и наноэлектроника»; «Нанотехнологии и микросистемная техника»; «Физическая электроника»
ИЛИ
1. 1. Документ, подтверждающий наличие высшего образования не ниже специалитета и магистратуры
2. 2. Документ о профессиональной переподготовке, подтверждающий освоение искомой квалификации
5 лет
Номер | Адрес проведения экзамена |
---|---|
77.022.23.02 |
г Краснодар, ул Ставропольская, д 149 |
77.022.36.01 |
г Воронеж, Университетская пл, д 1 |
77.022.77.01 |
г Зеленоград, проезд Западный 1-й, д 12 стр 1 |
Text