Инженер-технолог по моделированию наногетероструктурных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и технологических операций их изготовления (7 уровень квалификации)
7
Трудовые действия
1 . Анализ требований КД на МИС СВЧ
2 . Выбор на основе опыта и в соответствии с ТЗ и КД материалов и типа наногетероструктуры
3 . Моделирование наногетероструктур, определение их параметров, необходимых для расчета активных элементов (СВЧ-транзисторов, диодов) с использованием TCAD и других программных продуктов
4 . Моделирование технологического процесса изготовления активных элементов, определение параметров ТП на основе данных моделирования
5 . Моделирование технологических операций изготовления пассивных элементов - линий передачи, конденсаторов, резисторов, мостов, и др.
6 . Отчет о результатах моделирования, согласование его с руководителем и передача технологу для использования при разработке ТД
Необходимые умения
1 . Оценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧ
2 . Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧ
Необходимые знания
1 . Основы физики гетероэпитаксиальных структур и приборов
2 . Параметры полупроводниковых материалов
3 . Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ
4 . Основы технологии МИС СВЧ
5 . Методы сквозного проектирования МИС СВЧ
6 . Единая система технологической документации (ЕСТД), нормативная документация, регламенты, принятые в организации
7 . ГОСТ по постановке продукции на производство
Дополнительные сведения
1 . Самостоятельная профессиональная деятельность, предполагающая ответственность за выбор типа гетероструктур и активных элементов, как результат выполнения собственных работ
2 . Деятельность, направленная на подготовку заданий на конструирование МИС СВЧ
Трудовые действия
1 . Анализ требований КД на МИС СВЧ, а также данных моделирования наногетероструктур, активных и пассивных элементов
2 . Оценка на основе опыта и экспериментальных данных реализуемости технологии изготовления на МИС СВЧ и возможных рисков
3 . Выбор на основе нормативных документов ТП, в наиболее полном виде обеспечивающих требования к параметрам МИС СВЧ
4 . Составление ТЗ на разработку ТД с учетом требований КД
5 . Согласование ТЗ в соответствии с регламентом, принятым в организации
Необходимые умения
1 . Оценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧ
2 . Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧ
3 . Составлять согласно стандартам технические задания на разработку ТД МИС СВЧ
4 . Оформлять ТД для сопровождения производства МИС СВЧ
5 . Взаимодействовать с коллективами цехов, участков
Необходимые знания
1 . Основы физики гетероэпитаксиальных структур и приборов
2 . Параметры полупроводниковых материалов
3 . Современные системы моделирования и проектирования СВЧ-устройств и МИС СВЧ
4 . Основы технологии МИС СВЧ
5 . Методы сквозного проектирования МИС СВЧ
6 . ЕСТД, нормативная документация, регламенты, принятые в организации
7 . Стандарты по постановке продукции на производство
Дополнительные сведения
1 . Самостоятельная профессиональная деятельность, предполагающая ответственность за выбор типа гетероструктур и активных элементов, как результат выполнения собственных работ
2 . Деятельность, направленная на подготовку заданий на разработку технологических процессов МИС СВЧ
Трудовые действия
1 . Анализ КД и ТЗ на разработку МИС СВЧ в части требований к технологии производства
2 . Обоснование выбора маршрутной технологии
3 . Разработка маршрутных карт ТП изготовления МИС СВЧ
4 . Расчет технологических режимов операций
5 . Разработка операционных карт ТП
6 . Оформление технологической документации на ТП, согласование ее в соответствии с установленными регламентами
Необходимые умения
1 . Работать с нормативной документацией
2 . Работать в системе автоматизации проектирования (САПР) подготовки ТД для производства МИС СВЧ
Необходимые знания
1 . Технология производства МИС СВЧ
2 . Стандарты для подготовки технологической документации
3 . САПР подготовки ТД
Дополнительные сведения
1 . Ответственность за качество технологической документации на производство МИС СВЧ
Производство интегральных схем, микросборок и микромодулей
Инженер-технолог в области производства наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем
Приказ Министерства труда и социальной защиты РФ от «03» февраля 2014 г. №69н
−
−
1. −
1. 1. Документ, подтверждающий наличие высшего образования не ниже уровня специалитета и магистратуры. по одному из направлений: «Электроника и микроэлектроника»; «Электроника и наноэлектроника»; «Нанотехнологии и микросистемная техника»; «Физическая электроника»
ИЛИ
1. 1. Документ, подтверждающий наличие высшего образования не ниже специалитета и магистратуры
2. 2. Документ о профессиональной переподготовке, подтверждающий освоение искомой квалификации
5 лет
Номер | Адрес проведения экзамена |
---|---|
77.022.23.02 |
г Краснодар, ул Ставропольская, д 149 |
77.022.36.01 |
г Воронеж, Университетская пл, д 1 |
77.022.77.01 |
г Зеленоград, проезд Западный 1-й, д 12 стр 1 |
Text