Инженер-технолог по моделированию наногетероструктурных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и технологических операций их изготовления (7 уровень квалификации)
7
Трудовые действия
1. Анализ требований КД на МИС СВЧ
2. Выбор на основе опыта и в соответствии с ТЗ и КД материалов и типа наногетероструктуры
3. Моделирование наногетероструктур, определение их параметров, необходимых для расчета активных элементов (СВЧ-транзисторов, диодов) с использованием TCAD и других программных продуктов
4. Моделирование технологического процесса изготовления активных элементов, определение параметров ТП на основе данных моделирования
5. Моделирование технологических операций изготовления пассивных элементов - линий передачи, конденсаторов, резисторов, мостов, и др.
6. Отчет о результатах моделирования, согласование его с руководителем и передача технологу для использования при разработке ТД
Необходимые умения
1. Оценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧ
2. Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧ
Необходимые знания
1. Основы физики гетероэпитаксиальных структур и приборов
2. Параметры полупроводниковых материалов
3. Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ
4. Основы технологии МИС СВЧ
5. Методы сквозного проектирования МИС СВЧ
6. Единая система технологической документации (ЕСТД), нормативная документация, регламенты, принятые в организации
7. ГОСТ по постановке продукции на производство
Дополнительные сведения
1. Самостоятельная профессиональная деятельность, предполагающая ответственность за выбор типа гетероструктур и активных элементов, как результат выполнения собственных работ
2. Деятельность, направленная на подготовку заданий на конструирование МИС СВЧ
Трудовые действия
1. Анализ требований КД на МИС СВЧ, а также данных моделирования наногетероструктур, активных и пассивных элементов
2. Оценка на основе опыта и экспериментальных данных реализуемости технологии изготовления на МИС СВЧ и возможных рисков
3. Выбор на основе нормативных документов ТП, в наиболее полном виде обеспечивающих требования к параметрам МИС СВЧ
4. Составление ТЗ на разработку ТД с учетом требований КД
5. Согласование ТЗ в соответствии с регламентом, принятым в организации
Необходимые умения
1. Оценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧ
2. Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧ
3. Составлять согласно стандартам технические задания на разработку ТД МИС СВЧ
4. Оформлять ТД для сопровождения производства МИС СВЧ
5. Взаимодействовать с коллективами цехов, участков
Необходимые знания
1. Основы физики гетероэпитаксиальных структур и приборов
2. Параметры полупроводниковых материалов
3. Современные системы моделирования и проектирования СВЧ-устройств и МИС СВЧ
4. Основы технологии МИС СВЧ
5. Методы сквозного проектирования МИС СВЧ
6. ЕСТД, нормативная документация, регламенты, принятые в организации
7. Стандарты по постановке продукции на производство
Дополнительные сведения
1. Самостоятельная профессиональная деятельность, предполагающая ответственность за выбор типа гетероструктур и активных элементов, как результат выполнения собственных работ
2. Деятельность, направленная на подготовку заданий на разработку технологических процессов МИС СВЧ
Трудовые действия
1. Анализ КД и ТЗ на разработку МИС СВЧ в части требований к технологии производства
2. Обоснование выбора маршрутной технологии
3. Разработка маршрутных карт ТП изготовления МИС СВЧ
4. Расчет технологических режимов операций
5. Разработка операционных карт ТП
6. Оформление технологической документации на ТП, согласование ее в соответствии с установленными регламентами
Необходимые умения
1. Работать с нормативной документацией
2. Работать в системе автоматизации проектирования (САПР) подготовки ТД для производства МИС СВЧ
Необходимые знания
1. Технология производства МИС СВЧ
2. Стандарты для подготовки технологической документации
3. САПР подготовки ТД
Дополнительные сведения
1. Ответственность за качество технологической документации на производство МИС СВЧ
Производство интегральных схем, микросборок и микромодулей
Инженер-технолог в области производства наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем
Приказ Министерства труда и социальной защиты РФ от «03» февраля 2014 г. №69н
−
−
1. −
1. 1. Документ, подтверждающий наличие высшего образования не ниже уровня специалитета и магистратуры. по одному из направлений: «Электроника и микроэлектроника»; «Электроника и наноэлектроника»; «Нанотехнологии и микросистемная техника»; «Физическая электроника»
ИЛИ
1. 1. Документ, подтверждающий наличие высшего образования не ниже специалитета и магистратуры
2. 2. Документ о профессиональной переподготовке, подтверждающий освоение искомой квалификации
5 лет
Номер | Адрес проведения экзамена |
---|---|
77.022.23.02 |
г Краснодар, ул Ставропольская, д 149 |
77.022.36.01 |
г Воронеж, Университетская пл, д 1 |
77.022.77.01 |
г Зеленоград, проезд Западный 1-й, д 12 стр 1 |
Text