Инженер-технолог по организации и сопровождению процессов формирования наноразмерных полупроводниковых структур (7 уровень квалификации)
7
Трудовые действия
1 . Проведение плановой аттестации оборудования
2 . Контроль деятельности операторов и соблюдения ими правил проведения технологических и контрольных операций, транспортировки партий изделий
3 . При отклонении параметров подаваемых на оборудование энергоносителей остановка процесса и сообщение о случившемся по инстанции для принятия решения
4 . Проведение внеплановой аттестации оборудования
Необходимые умения
1 . Измерять электрофизические параметры формируемых функциональных и вспомогательных наноразмерных слоев и изделий
2 . Проводить анализ и определять причины отклонения параметров
3 . Осуществлять технологический надзор
4 . Работать с документацией
5 . Работать с контрольно-измерительным оборудованием
Необходимые знания
1 . Технический английский язык
2 . Системы менеджмента качества (СМК) конкретных организаций
3 . Технологические режимы оборудования
4 . Регламенты, стандарты (по технике безопасности, вакуумной гигиене, чистым зонам)
5 . Регламенты контроля
6 . Операционные, маршрутные и контрольные карты
7 . Программы статистического анализа
Дополнительные сведения
1 . Обеспечение взаимодействия сотрудников и смежных подразделений
2 . Деятельность, направленная на решение задач технологического и методического характера, предполагающих выбор и многообразие способов решения
Трудовые действия
1 . Статистический анализ технологических параметров операций
2 . Контроль деятельности операторов и соблюдения ими правил проведения технологических и контрольных операций, транспортировки партий изделий
3 . Определение и устранение причин отклонения параметров технологических операций от заданных
Необходимые умения
1 . Измерять электрофизические параметры формируемых наноразмерных слоев и изделий
2 . Проводить анализ и определять причины отклонения параметров
3 . Осуществлять технологический надзор
4 . Работать с документацией
5 . Работать с контрольно-измерительным оборудованием, используемым в наноэлектронике
Необходимые знания
1 . Технический английский язык
2 . Системы менеджмента качества (СМК) конкретных организаций
3 . Технологические режимы оборудования
4 . Регламенты, стандарты (по технике безопасности, вакуумной гигиене, чистым зонам)
5 . Регламенты контроля
6 . Операционные, маршрутные и контрольные карты
7 . Программы статистического анализа
Дополнительные сведения
1 . Деятельность, направленная на решение типовых задач технологического характера
Трудовые действия
1 . Разработка новых технологических процессов
2 . Обоснование экономической целесообразности их внедрения
3 . Технологическая поддержка
Необходимые умения
1 . Определять экономическую целесообразность внедрений новых технологий и процессов
2 . Оценивать риски внедрения нового процесса
Необходимые знания
1 . Предназначение, современные виды оборудования для проведения анализа и измерений параметров наноразмерных объектов
Дополнительные сведения
1 . Деятельность, направленная на решение типовых задач технологического характера
2 . Обеспечение взаимодействия сотрудников и смежных подразделений
Разработка, сопровождение и интеграция технологических процессов производства полупроводников с использованием нанотехнологий
Инженер-технолог в области производства наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем
Приказ Минтруда России от 03.02.2014 года № 71н
-
Инженер-технолог (ЕКС)
1. -
1. 1. Документ о профессиональном образовании не ниже уровня магистратуры (специалитета) по одному из направлений подготовки: «Информатика и вычислительная техника»; «Электроника и наноэлектроника»; «Нанотехнологии и микросистемная техника»
ИЛИ
1. 1. Документ о профессиональном образовании (уровня магистратуры или специалитета)
2. 2. Документ о профессиональной переподготовке, по профилю подтверждаемой квалификации
5 лет
Номер | Адрес проведения экзамена |
---|---|
77.022.23.02 |
г Краснодар, ул Ставропольская, д 149 |
77.022.36.01 |
г Воронеж, Университетская пл, д 1 |
77.022.77.01 |
г Зеленоград, проезд Западный 1-й, д 12 стр 1 |
Text