Инженер-конструктор по производству наногетероструктурных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем (7 уровень квалификации)

Трудовые действия

1 . Разработка структурных схем и схем принципиальных МИС СВЧ, оптимизация их параметров с учетом существующих технологических маршрутов производства и технологических ограничений

2 . Разработка моделей элементов МИС СВЧ. Моделирование характеристик наногетероструктурных МИС СВЧ. Выбор программного обеспечения для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ

3 . Выбор и обоснование типа гетероструктур и активных элементов (транзисторов, диодов), необходимых для достижения заданных основных электрических и эксплуатационных параметров МИС СВЧ

Необходимые умения

1 . Проводить анализ технической литературы на русском и английском языках

2 . Разрабатывать конструкторскую документацию на стадии технического предложения

3 . Составлять согласно стандартам технические задания на конструирование МИС СВЧ

4 . Проводить оптимизацию структурных и принципиальных схем МИС СВЧ

5 . Составлять планы проведения экспериментальных работ

6 . Составлять математические модели анализируемых элементов МИС СВЧ

7 . Рассчитывать параметры на основе математических моделей

8 . Использовать результаты моделирования в проектировании МИС СВЧ

9 . Встраивать модели элементов в системы автоматизации проектирования

10 . Верифицировать созданные модели на основе численных и натурных экспериментов

11 . Анализировать результаты измерений и методы электромагнитного и схемотехнического моделирования для разработки математических моделей элементов МИС СВЧ

12 . Разрабатывать недостающие в библиотеках модели элементов МИС СВЧ на основе анализа и экспериментальных измерений тестовых пассивных и активных элементов

13 . Выбирать программное обеспечение для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ

14 . Разрабатывать специальное программное обеспечение для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ

15 . Разрабатывать модели МИС СВЧ, учитывающие параметры гетероструктурных подложек, применяемых пассивных и активных элементов с помощью систем моделирования и автоматизированного проектирования, включая системы технологического проектирования (TCAD)

16 . Оценивать технические и экономические риски при выборе направления конструирования МИС СВЧ

17 . Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при конструировании МИС СВЧ

18 . Составлять отчет по результатам моделирования и экспериментальных измерений, включающий описание полученных моделей

Необходимые знания

1 . Технический английский язык

2 . Основы физики гетеро-эпитаксиальных структур, гетероструктурных приборов

3 . Параметры полупроводниковых материалов

4 . Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ

5 . Основы технологии МИС СВЧ

6 . Методы сквозного проектирования МИС СВЧ

7 . Физические основы применения полупроводниковых соединений типа AIIIBV и гетероструктур на их основе, применяемых в полупроводниковой СВЧ наноэлектронике

8 . Методы структурного синтеза с ограничениями и особенностями реализации на СВЧ

9 . Методы схемотехнического анализа и синтеза МИС СВЧ с учетом электродинамических характеристик моделей элементов

10 . Схемотехника пассивных и активных устройств СВЧ

11 . Основы метрологии и методы измерения параметров СВЧ устройств

12 . Зондовые измерения

13 . Библиотеки моделей пассивных и активных элементов МИС СВЧ

14 . Системы технологического моделирования (TCAD)

15 . Статистический анализ результатов измерений параметров МИС СВЧ и их элементов

16 . Современное контрольно-измерительное оборудование

17 . Процедуры разработки и согласования технического задания

Дополнительные сведения

1 . Ответственность за достоверность результатов моделирования и схемотехнических расчетов для достижения параметров МИС СВЧ

2 . Деятельность, направленная на решение нетиповых задач конструкторско-технологического характера