Инженер-конструктор по производству наногетероструктурных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем (7 уровень квалификации)

Трудовые действия

1. Разработка структурных схем и схем принципиальных МИС СВЧ, оптимизация их параметров с учетом существующих технологических маршрутов производства и технологических ограничений

2. Разработка моделей элементов МИС СВЧ. Моделирование характеристик наногетероструктурных МИС СВЧ. Выбор программного обеспечения для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ

3. Выбор и обоснование типа гетероструктур и активных элементов (транзисторов, диодов), необходимых для достижения заданных основных электрических и эксплуатационных параметров МИС СВЧ

Необходимые умения

1. Проводить анализ технической литературы на русском и английском языках

2. Разрабатывать конструкторскую документацию на стадии технического предложения

3. Составлять согласно стандартам технические задания на конструирование МИС СВЧ

4. Проводить оптимизацию структурных и принципиальных схем МИС СВЧ

5. Составлять планы проведения экспериментальных работ

6. Составлять математические модели анализируемых элементов МИС СВЧ

7. Рассчитывать параметры на основе математических моделей

8. Использовать результаты моделирования в проектировании МИС СВЧ

9. Встраивать модели элементов в системы автоматизации проектирования

10. Верифицировать созданные модели на основе численных и натурных экспериментов

11. Анализировать результаты измерений и методы электромагнитного и схемотехнического моделирования для разработки математических моделей элементов МИС СВЧ

12. Разрабатывать недостающие в библиотеках модели элементов МИС СВЧ на основе анализа и экспериментальных измерений тестовых пассивных и активных элементов

13. Выбирать программное обеспечение для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ

14. Разрабатывать специальное программное обеспечение для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ

15. Разрабатывать модели МИС СВЧ, учитывающие параметры гетероструктурных подложек, применяемых пассивных и активных элементов с помощью систем моделирования и автоматизированного проектирования, включая системы технологического проектирования (TCAD)

16. Оценивать технические и экономические риски при выборе направления конструирования МИС СВЧ

17. Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при конструировании МИС СВЧ

18. Составлять отчет по результатам моделирования и экспериментальных измерений, включающий описание полученных моделей

Необходимые знания

1. Технический английский язык

2. Основы физики гетеро-эпитаксиальных структур, гетероструктурных приборов

3. Параметры полупроводниковых материалов

4. Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ

5. Основы технологии МИС СВЧ

6. Методы сквозного проектирования МИС СВЧ

7. Физические основы применения полупроводниковых соединений типа AIIIBV и гетероструктур на их основе, применяемых в полупроводниковой СВЧ наноэлектронике

8. Методы структурного синтеза с ограничениями и особенностями реализации на СВЧ

9. Методы схемотехнического анализа и синтеза МИС СВЧ с учетом электродинамических характеристик моделей элементов

10. Схемотехника пассивных и активных устройств СВЧ

11. Основы метрологии и методы измерения параметров СВЧ устройств

12. Зондовые измерения

13. Библиотеки моделей пассивных и активных элементов МИС СВЧ

14. Системы технологического моделирования (TCAD)

15. Статистический анализ результатов измерений параметров МИС СВЧ и их элементов

16. Современное контрольно-измерительное оборудование

17. Процедуры разработки и согласования технического задания

Дополнительные сведения

1. Ответственность за достоверность результатов моделирования и схемотехнических расчетов для достижения параметров МИС СВЧ

2. Деятельность, направленная на решение нетиповых задач конструкторско-технологического характера