Инженер-конструктор по производству наногетероструктурных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем (7 уровень квалификации)
7
Трудовые действия
1 . Разработка структурных схем и схем принципиальных МИС СВЧ, оптимизация их параметров с учетом существующих технологических маршрутов производства и технологических ограничений
2 . Разработка моделей элементов МИС СВЧ. Моделирование характеристик наногетероструктурных МИС СВЧ. Выбор программного обеспечения для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ
3 . Выбор и обоснование типа гетероструктур и активных элементов (транзисторов, диодов), необходимых для достижения заданных основных электрических и эксплуатационных параметров МИС СВЧ
Необходимые умения
1 . Проводить анализ технической литературы на русском и английском языках
2 . Разрабатывать конструкторскую документацию на стадии технического предложения
3 . Составлять согласно стандартам технические задания на конструирование МИС СВЧ
4 . Проводить оптимизацию структурных и принципиальных схем МИС СВЧ
5 . Составлять планы проведения экспериментальных работ
6 . Составлять математические модели анализируемых элементов МИС СВЧ
7 . Рассчитывать параметры на основе математических моделей
8 . Использовать результаты моделирования в проектировании МИС СВЧ
9 . Встраивать модели элементов в системы автоматизации проектирования
10 . Верифицировать созданные модели на основе численных и натурных экспериментов
11 . Анализировать результаты измерений и методы электромагнитного и схемотехнического моделирования для разработки математических моделей элементов МИС СВЧ
12 . Разрабатывать недостающие в библиотеках модели элементов МИС СВЧ на основе анализа и экспериментальных измерений тестовых пассивных и активных элементов
13 . Выбирать программное обеспечение для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ
14 . Разрабатывать специальное программное обеспечение для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ
15 . Разрабатывать модели МИС СВЧ, учитывающие параметры гетероструктурных подложек, применяемых пассивных и активных элементов с помощью систем моделирования и автоматизированного проектирования, включая системы технологического проектирования (TCAD)
16 . Оценивать технические и экономические риски при выборе направления конструирования МИС СВЧ
17 . Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при конструировании МИС СВЧ
18 . Составлять отчет по результатам моделирования и экспериментальных измерений, включающий описание полученных моделей
Необходимые знания
1 . Технический английский язык
2 . Основы физики гетеро-эпитаксиальных структур, гетероструктурных приборов
3 . Параметры полупроводниковых материалов
4 . Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ
5 . Основы технологии МИС СВЧ
6 . Методы сквозного проектирования МИС СВЧ
7 . Физические основы применения полупроводниковых соединений типа AIIIBV и гетероструктур на их основе, применяемых в полупроводниковой СВЧ наноэлектронике
8 . Методы структурного синтеза с ограничениями и особенностями реализации на СВЧ
9 . Методы схемотехнического анализа и синтеза МИС СВЧ с учетом электродинамических характеристик моделей элементов
10 . Схемотехника пассивных и активных устройств СВЧ
11 . Основы метрологии и методы измерения параметров СВЧ устройств
12 . Зондовые измерения
13 . Библиотеки моделей пассивных и активных элементов МИС СВЧ
14 . Системы технологического моделирования (TCAD)
15 . Статистический анализ результатов измерений параметров МИС СВЧ и их элементов
16 . Современное контрольно-измерительное оборудование
17 . Процедуры разработки и согласования технического задания
Дополнительные сведения
1 . Ответственность за достоверность результатов моделирования и схемотехнических расчетов для достижения параметров МИС СВЧ
2 . Деятельность, направленная на решение нетиповых задач конструкторско-технологического характера
Производство интегральных схем, микросборок и микромодулей
Инженер-конструктор в области производства наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем
Приказ Министерства труда и социальной защиты РФ от «03» февраля 2014 г. №70н
−
−
1. −
1. 1. Документ, подтверждающий наличие высшего образования не ниже уровня специалитета, магистратуры по одному из направлений: «Электроника и микроэлектроника»; «Электроника и наноэлектроника»; «Нанотехнологии и микросистемная техника»
ИЛИ
1. 1. Документ, подтверждающий наличие высшего образования не ниже уровня специалитета, магистратуры
2. 2. Документ о профессиональной переподготовке, подтверждающий освоение искомой квалификации
5 лет
Номер | Адрес проведения экзамена |
---|---|
77.022.23.02 |
г Краснодар, ул Ставропольская, д 149 |
77.022.77.01 |
г Зеленоград, проезд Западный 1-й, д 12 стр 1 |
Text