Инженер по производству наногетероструктурных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем (6 уровень квалификации)
6
Трудовые действия
1. Разработка топологии тестовых структур для характеризации параметров элементов монолитных интегральных схем (МИС)
2. Разработка топологии МИС СВЧ, согласование их с технологами, внесение необходимых изменений
3. Разработка и подготовка файлов для электронной литографии с предъявлением их для технического контроля, внесение необходимых изменений
4. Разработка и подготовка файлов для изготовления фотошаблонов с предъявлением их для технического контроля, внесение необходимых изменений
Необходимые умения
1. Применять метод декомпозиции при анализе тестовых структур и МИС СВЧ
2. Оценивать допуски на элементы при межоперационном контроле параметров
3. Переходить от схемы принципиальной электрической к топологии МИС СВЧ, используя систему автоматизации проектирования (САПР)
4. Планировать и оптимизировать контрольные операции в процессе прохождения пластин по технологическому маршруту
5. Осуществлять разработку топологии тестовых структур на пластине для проведения межоперационного контроля совместно с технологами
6. Выбирать методики измерения параметров тестовых структур при межоперационном контроле технологического процесса
7. Выбирать оборудование для межоперационного контроля
8. Анализировать статистическими методами результаты измерения параметров тестовых структур и делать заключение об их нахождении в пределах заданных допусков, приемлемых для достижения технических требований на МИС
9. Рассчитывать параметры МИС с учетом особенностей топологии
10. Разрабатывать техническое задание на изменение технологии
11. Взаимодействовать с технологическими подразделениями при передаче топологии в производство
12. Подготавливать файлы необходимых форматов для электронных шаблонов проекционной литографии
13. Работать на установке изготовления фотошаблонов
Необходимые знания
1. Основы технологии производства МИС СВЧ
2. Основы статистического анализа
3. Методы статистической обработки данных и теории чувствительности устройств к разбросам параметров компонент
4. Теория и методы планирования эксперимента
5. Методики межоперационного контроля
6. Параметры гетероструктур и материалов, применяемых в технологии МИС СВЧ
7. Теория допусков применительно к наноэлектронике СВЧ
8. Методы разработки библиотек моделей пассивных и активных элементов МИС СВЧ
9. Современные системы проектирования топологии СВЧ-устройств и МИС СВЧ
10. Топологические библиотеки моделей пассивных и активных элементов МИС СВЧ
11. Оборудование для измерения и контроля параметров тестовых структур и МИС СВЧ
12. Методология системы менеджмента качества
13. Основы технологии электронной литографии
14. Методики и нормативная документация на подготовку конструкторской документации (КД) для электронной литографии
15. Основы технологии изготовления фотошаблонов для проекционной литографии
16. Методики и нормативная документация на подготовку КД для изготовления фотошаблонов
Дополнительные сведения
1. Деятельность, направленная на создание топологий МИС СВЧ, являющихся интеллектуальным продуктом, защищаемым авторами как «Топология ИС»
Трудовые действия
1. Разработка методик измерений параметров тестовых структур и МИС СВЧ на пластине в соответствии с требованиями технического задания
2. Проведение измерений тестовых структур и МИС СВЧ, анализ данных измерений
Необходимые умения
1. Разрабатывать нормативную документацию на методики измерений тестовых структур и СВЧ МИС
2. Проводить измерение параметров на постоянном токе, в импульсном режиме и на СВЧ на современном оборудовании
3. Формировать базы данных измерений
4. Проводить статистическую обработку данных
5. Проводить метрологическую экспертизу измерений параметров
6. Составлять акты и протоколы о проведении измерений
7. Готовить и согласовывать проекты технических условий
Необходимые знания
1. Способы и методы измерений параметров тестовых структур и МИС СВЧ на пластине в соответствии с требованиями пунктов технического задания
2. Статистический анализ результатов проведения измерений
3. Метрологическое обеспечение измерений
4. Нормативная документация на разработку технических условий
Дополнительные сведения
1. Деятельность, направленная на обеспечение производства методиками и средствами измерения параметров элементов и МИС СВЧ
Трудовые действия
1. Разработка методик испытания параметров МИС СВЧ
2. Разработка методик и критериев контроля и отбраковки МИС СВЧ
Необходимые умения
1. Проводить и контролировать процедуры приемо-сдаточных испытаний
2. Согласовывать технические условия
3. Составлять протоколы приемо-сдаточных испытаний
4. Измерять вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики, частотные и динамические характеристики, устанавливать критерии их контроля
Необходимые знания
1. Методы проведения испытаний на электрические и эксплуатационные параметры
2. Методы контроля параметров по постоянному току
3. Методы контроля параметров на СВЧ
4. Автоматизация зондовых измерений
5. Метрологическое обеспечение испытаний
Дополнительные сведения
1. Деятельность, направленная на обеспечение надежности СВЧ МИС
Производство интегральных схем, микросборок и микромодулей
Инженер-конструктор в области производства наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем
Приказ Министерства труда и социальной защиты РФ от «03» февраля 2014 г. №70н.
−
−
1. −
1. 1. Документ, подтверждающий наличие высшего образования. по одному из направлений: «Электроника и микроэлектроника»; «Электроника и наноэлектроника»; «Нанотехнологии и микросистемная техника»
ИЛИ
1. 1. Документ, подтверждающий наличие высшего образования
2. 2. Документ о профессиональной переподготовке, подтверждающий освоение искомой квалификации
5 лет
Номер | Адрес проведения экзамена |
---|---|
77.022.23.02 |
г Краснодар, ул Ставропольская, д 149 |
77.022.77.01 |
г Зеленоград, проезд Западный 1-й, д 12 стр 1 |
Text