Инженер по производству наногетероструктурных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем (6 уровень квалификации)
6
Трудовые действия
1 . Разработка топологии тестовых структур для характеризации параметров элементов монолитных интегральных схем (МИС)
2 . Разработка топологии МИС СВЧ, согласование их с технологами, внесение необходимых изменений
3 . Разработка и подготовка файлов для электронной литографии с предъявлением их для технического контроля, внесение необходимых изменений
4 . Разработка и подготовка файлов для изготовления фотошаблонов с предъявлением их для технического контроля, внесение необходимых изменений
Необходимые умения
1 . Применять метод декомпозиции при анализе тестовых структур и МИС СВЧ
2 . Оценивать допуски на элементы при межоперационном контроле параметров
3 . Переходить от схемы принципиальной электрической к топологии МИС СВЧ, используя систему автоматизации проектирования (САПР)
4 . Планировать и оптимизировать контрольные операции в процессе прохождения пластин по технологическому маршруту
5 . Осуществлять разработку топологии тестовых структур на пластине для проведения межоперационного контроля совместно с технологами
6 . Выбирать методики измерения параметров тестовых структур при межоперационном контроле технологического процесса
7 . Выбирать оборудование для межоперационного контроля
8 . Анализировать статистическими методами результаты измерения параметров тестовых структур и делать заключение об их нахождении в пределах заданных допусков, приемлемых для достижения технических требований на МИС
9 . Рассчитывать параметры МИС с учетом особенностей топологии
10 . Разрабатывать техническое задание на изменение технологии
11 . Взаимодействовать с технологическими подразделениями при передаче топологии в производство
12 . Подготавливать файлы необходимых форматов для электронных шаблонов проекционной литографии
13 . Работать на установке изготовления фотошаблонов
Необходимые знания
1 . Основы технологии производства МИС СВЧ
2 . Основы статистического анализа
3 . Методы статистической обработки данных и теории чувствительности устройств к разбросам параметров компонент
4 . Теория и методы планирования эксперимента
5 . Методики межоперационного контроля
6 . Параметры гетероструктур и материалов, применяемых в технологии МИС СВЧ
7 . Теория допусков применительно к наноэлектронике СВЧ
8 . Методы разработки библиотек моделей пассивных и активных элементов МИС СВЧ
9 . Современные системы проектирования топологии СВЧ-устройств и МИС СВЧ
10 . Топологические библиотеки моделей пассивных и активных элементов МИС СВЧ
11 . Оборудование для измерения и контроля параметров тестовых структур и МИС СВЧ
12 . Методология системы менеджмента качества
13 . Основы технологии электронной литографии
14 . Методики и нормативная документация на подготовку конструкторской документации (КД) для электронной литографии
15 . Основы технологии изготовления фотошаблонов для проекционной литографии
16 . Методики и нормативная документация на подготовку КД для изготовления фотошаблонов
Дополнительные сведения
1 . Деятельность, направленная на создание топологий МИС СВЧ, являющихся интеллектуальным продуктом, защищаемым авторами как «Топология ИС»
Трудовые действия
1 . Разработка методик измерений параметров тестовых структур и МИС СВЧ на пластине в соответствии с требованиями технического задания
2 . Проведение измерений тестовых структур и МИС СВЧ, анализ данных измерений
Необходимые умения
1 . Разрабатывать нормативную документацию на методики измерений тестовых структур и СВЧ МИС
2 . Проводить измерение параметров на постоянном токе, в импульсном режиме и на СВЧ на современном оборудовании
3 . Формировать базы данных измерений
4 . Проводить статистическую обработку данных
5 . Проводить метрологическую экспертизу измерений параметров
6 . Составлять акты и протоколы о проведении измерений
7 . Готовить и согласовывать проекты технических условий
Необходимые знания
1 . Способы и методы измерений параметров тестовых структур и МИС СВЧ на пластине в соответствии с требованиями пунктов технического задания
2 . Статистический анализ результатов проведения измерений
3 . Метрологическое обеспечение измерений
4 . Нормативная документация на разработку технических условий
Дополнительные сведения
1 . Деятельность, направленная на обеспечение производства методиками и средствами измерения параметров элементов и МИС СВЧ
Трудовые действия
1 . Разработка методик испытания параметров МИС СВЧ
2 . Разработка методик и критериев контроля и отбраковки МИС СВЧ
Необходимые умения
1 . Проводить и контролировать процедуры приемо-сдаточных испытаний
2 . Согласовывать технические условия
3 . Составлять протоколы приемо-сдаточных испытаний
4 . Измерять вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики, частотные и динамические характеристики, устанавливать критерии их контроля
Необходимые знания
1 . Методы проведения испытаний на электрические и эксплуатационные параметры
2 . Методы контроля параметров по постоянному току
3 . Методы контроля параметров на СВЧ
4 . Автоматизация зондовых измерений
5 . Метрологическое обеспечение испытаний
Дополнительные сведения
1 . Деятельность, направленная на обеспечение надежности СВЧ МИС
Производство интегральных схем, микросборок и микромодулей
Инженер-конструктор в области производства наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем
Приказ Министерства труда и социальной защиты РФ от «03» февраля 2014 г. №70н.
−
−
1. −
1. 1. Документ, подтверждающий наличие высшего образования. по одному из направлений: «Электроника и микроэлектроника»; «Электроника и наноэлектроника»; «Нанотехнологии и микросистемная техника»
ИЛИ
1. 1. Документ, подтверждающий наличие высшего образования
2. 2. Документ о профессиональной переподготовке, подтверждающий освоение искомой квалификации
5 лет
Номер | Адрес проведения экзамена |
---|---|
77.022.23.02 |
г Краснодар, ул Ставропольская, д 149 |
77.022.77.01 |
г Зеленоград, проезд Западный 1-й, д 12 стр 1 |
Text